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IRS2003STR(UMW)
250V半桥MOSFET/IGBT栅极驱动器
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- 描述
- IRS2003S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRS2003STR(UMW)
- 商品编号
- C20623209
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 30ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 680ns | |
| 传播延迟 tpHL | 150ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 120uA | |
| 功能特性 | 内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
IRS2003S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道。其专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，旨在最小化驱动器的交叉导通。浮空通道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET，其工作电压高达250V。
商品特性
- 专为自举操作设计的浮空通道
- 完全工作电压高达+250V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- 抗dV/dt噪声能力为±50 V/nsec
- 允许的负Vs能力：-9V
- 栅极驱动电源范围从10V至20V
- 集成自举二极管
- 交叉导通预防逻辑——死区时间520ns
- 传播延迟——Ton/Toff = 680ns/150ns
- 宽工作温度范围 -40°C ~ 125°C
- 典型输出源/灌电流能力：290mA/600mA
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型/迷你逆变器驱动器