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CRSM120N10L2
SkyMOS2 N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS2技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。 符合JEDEC标准。应用：AC/DC快速充电器的同步整流。 电池管理
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- CRSM120N10L2
- 商品编号
- C20623221
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 78.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.266nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 388pF |
商品概述
WpMD2075是双P沟道逻辑模式功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- 采用CRM(CQ)先进的SkyMOS2技术
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的Qg x RDS(on)乘积(品质因数)
- 符合JEDEC标准
应用领域
- 用于AC/DC快充的同步整流
- 电池管理
- 不间断电源(UPS)