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UCC27524DR(UMW)

双路 4A 高速功率开关驱动器

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描述: UMW UCC27524DR器件是一款双通道、高速、低端栅极驱动器件，能够有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。它在对功率开关的栅极进行充电和放电时，具有匹配的上升和下降时间。此外，UMW UCC27524DR在其额定功率和电压范围内的所有条件下都具有高度的抗闩锁能力
品牌名称: UMW(友台半导体)
商品型号: UCC27524DR(UMW)
商品编号: C20623206
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.21256克(g)

商品参数

商品概述

UMW UCC27524DR器件是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。它在对功率开关的栅极进行充电和放电时，具有匹配的上升和下降时间。此外，在其额定功率和电压范围内的所有条件下，该器件都具有高度的闩锁抗扰性。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，器件不会损坏。该器件可承受高达500mA的反向电流而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端子均具备高达2.0 kV的ESD全面保护。

商品特性

闩锁保护：可承受0.5 A反向电流
输入端可处理负电压（-10 V）
低输出阻抗
两个独立的栅极驱动通道
每个输出具有独立的使能功能
4A峰值拉电流和灌电流驱动能力
4.5至20V单电源工作范围
驱动容性负载能力强：在1nF负载下开关时间 < 25 ns
上升/下降时间匹配
快速传播延迟（典型值40 ns）
工作温度范围：-40 ~ 125°C
开启/关断延迟：Ton/Toff = 70ns/70ns

应用领域

线路驱动器
驱动MOSFET和IGBT
电机驱动器
开关模式电源
DC-DC转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	-
	拉电流(IOH)	-
	工作电压	4.5V~20V
	上升时间(tr)	-
	下降时间(tf)	15ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	25ns
	传播延迟 tpHL	25ns
	特性	-
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2.4V
	输入低电平(VIL)	800mV
	静态电流(Iq)	1.5mA
	功能特性	使能关断