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IRS2101STR(UMW)

700V半桥MOSFET/IGBT栅极驱动器

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描述: UMW IRS2101STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，最高可承受700V电压。
品牌名称: UMW(友台半导体)
商品型号: IRS2101STR(UMW)
商品编号: C20623200
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.21308克(g)

商品参数

商品概述

UMW IRS2101STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，最高可承受700V电压。

商品特性

浮动通道专为自举操作设计
最高可在+700V下完全正常工作
与3.3V、5V和15V输入逻辑兼容
耐受负瞬态电压
抗dV/dt干扰
允许的负Vs能力：-9V
栅极驱动电源范围为10V至20V
两个通道的传播延迟匹配
宽工作温度范围-40℃~125℃
典型输出源/灌电流能力：300mA/600mA

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型/小型逆变器驱动器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	灌电流(IOL)	600mA
	拉电流(IOH)	300mA
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	75ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	35ns
	传播延迟 tpLH	130ns
	传播延迟 tpHL	130ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	120uA