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UCC27714DR(UMW)实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UCC27714DR(UMW)

700V半桥MOSFET/IGBT栅极驱动器

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描述
UCC27714DR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至3.3V
商品型号
UCC27714DR(UMW)
商品编号
C20623188
商品封装
SOP-14​
包装方式
编带
商品毛重
0.2828克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2
灌电流(IOL)4A
拉电流(IOH)4A
工作电压10V~20V
上升时间(tr)40ns
下降时间(tf)20ns
属性参数值
传播延迟 tpLH130ns
传播延迟 tpHL130ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)-
输入低电平(VIL)-
静态电流(Iq)150uA
功能特性使能关断;交错导通保护

商品概述

UMW UCC27714DR 是一款高压、高速功率MOSFET驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。其专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,最低可至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计,旨在最小化驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET,其工作电压高达700V。

商品特性

  • 浮动通道设计用于自举操作
  • 完全工作电压高达+700V
  • 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
  • dV/dt噪声抗扰度±50 V/nsec
  • 允许的负Vs能力:-9V
  • 栅极驱动电源电压范围10V至20V
  • 典型输出源电流/灌电流能力:4A/4A
  • 双通道欠压锁定
  • UVLO正向阈值8.9V
  • UVLO反向阈值8.2V
  • 导通/关断传播延迟 - Ton/Toff =130ns/130ns
  • 双通道匹配的传播延迟
  • 符合RoSH标准

应用领域

  • 电机控制
  • 空调/洗衣机
  • 通用逆变器
  • 微型逆变器驱动器

数据手册PDF