UCC27714DR(UMW)
700V半桥MOSFET/IGBT栅极驱动器
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- 描述
- UCC27714DR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至3.3V
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- UCC27714DR(UMW)
- 商品编号
- C20623188
- 商品封装
- SOP-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2828克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 40ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 130ns | |
| 传播延迟 tpHL | 130ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 150uA | |
| 功能特性 | 使能关断;交错导通保护 |
商品概述
UMW UCC27714DR 是一款高压、高速功率MOSFET驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。其专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,最低可至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计,旨在最小化驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET,其工作电压高达700V。
商品特性
- 浮动通道设计用于自举操作
- 完全工作电压高达+700V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dV/dt噪声抗扰度±50 V/nsec
- 允许的负Vs能力:-9V
- 栅极驱动电源电压范围10V至20V
- 典型输出源电流/灌电流能力:4A/4A
- 双通道欠压锁定
- UVLO正向阈值8.9V
- UVLO反向阈值8.2V
- 导通/关断传播延迟 - Ton/Toff =130ns/130ns
- 双通道匹配的传播延迟
- 符合RoSH标准
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动器
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