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IR21271STR(UMW)

300V单通道电流检测MOSFET/IGBT驱动器

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描述: UMW IR21271STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V
品牌名称: UMW(友台半导体)
商品型号: IR21271STR(UMW)
商品编号: C20623185
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.21克(g)

商品参数

商品概述

UMW IR21271STR是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V。保护电路可检测被驱动功率晶体管中的过电流，并终止栅极驱动电压。提供一个漏极开路FAULT信号，以指示发生过电流关断。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端或低端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达300V。

商品特性

为自举操作设计的浮动通道
最高可在+300V下完全工作
与3.3V、5V和15V输入逻辑兼容
dV/dt抗噪能力±50 V/ns
允许的负Vs能力：-5V
输出与输入同相
栅极驱动电源范围为8V至22V
双通道欠压锁定
- 欠压锁定（UVLO）6.8V/7.2V
传播延迟
- 导通时间（Ton）/关断时间（Toff）=150ns/150ns
宽工作温度范围-40℃~125℃
故障引脚指示已发生关断
符合RoHS标准
SOIC8(S)封装

应用领域

电机控制与驱动
机器人技术
电动汽车快速充电

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	高边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	1
	工作电压	8V~22V
	上升时间(tr)	80ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	40ns
	传播延迟 tpLH	150ns
	传播延迟 tpHL	150ns
	特性	欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	60uA