嘉立创上市
购物车0
IRS2113STR(UMW)实物图
  • IRS2113STR(UMW)商品缩略图
  • IRS2113STR(UMW)商品缩略图
  • IRS2113STR(UMW)商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRS2113STR(UMW)

700V、4A半桥MOSFET/IGBT栅极驱动器

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
IRS2113STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
商品型号
IRS2113STR(UMW)
商品编号
C20623178
商品封装
SOP-16-300mil​
包装方式
编带
商品毛重
0.6912克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2
灌电流(IOL)4A
拉电流(IOH)4A
工作电压10V~20V
上升时间(tr)25ns
属性参数值
下降时间(tf)17ns
传播延迟 tpLH130ns
传播延迟 tpHL130ns
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)-
输入低电平(VIL)-
静态电流(Iq)15uA
功能特性使能关断;交错导通保护

商品概述

UMW IRS2113STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。其专有的高压集成电路和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,最低可至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计,旨在最小化驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET,其工作电压高达+700V。

商品特性

  • 专为自举操作设计的浮动通道
  • 完全工作电压高达+700V
  • 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
  • 耐受负瞬态电压,dV/dt抗扰
  • 允许的负VS能力:-9V
  • 栅极驱动电源范围:10V至20V
  • 独立的逻辑电源范围:3.3V至20V
  • 逻辑和功率地之间具有±5V偏移

应用领域

  • UPS通用逆变器
  • 半桥和全桥转换器
  • 高密度开关电源
  • 太阳能逆变器
  • 电机驱动器

数据手册PDF