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IRS2113STR(UMW)

700V、4A半桥MOSFET/IGBT栅极驱动器

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描述: IRS2113STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V
品牌名称: UMW(友台半导体)
商品型号: IRS2113STR(UMW)
商品编号: C20623178
商品封装: SOP-16-300mil
包装方式: 编带
商品毛重: 0.6912克(g)

商品参数

商品概述

IRS2113STR是一种高电压、高速功率MOSFET驱动器，具有依赖的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地减少驱动器互导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET，工作电压高达700V。

应用领域

UPS 通用逆变器
半桥和全桥交流及直流电源转换器
适用于服务器、电信、IT 和工业基础设施的高密度开关电源供应器
太阳能逆变器和电机驱动器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	25ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	17ns
	传播延迟 tpLH	130ns
	传播延迟 tpHL	130ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	15uA