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IR2110STR(UMW)

700V、4A半桥MOSFET/IGBT栅极驱动器

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描述: UMW IR2110STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3路。
品牌名称: UMW(友台半导体)
商品型号: IR2110STR(UMW)
商品编号: C20623179
商品封装: SOP-16-300mil
包装方式: 编带
商品毛重: 0.69075克(g)

商品参数

商品概述

UMW IR2110STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有依赖性高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术实现了坚固的单片构造。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，最低可达 3.3V 逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计，以实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 沟道功率 MOSFET，最高工作电压可达 700V。

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	全桥；半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	25ns
	下降时间(tf)	17ns
	传播延迟 tpLH	130ns
	传播延迟 tpHL	130ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	15uA