温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IR2110STR(UMW)

700V、4A半桥MOSFET/IGBT栅极驱动器

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: UMW IR2110STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3路。
品牌名称: UMW(友台半导体)
商品型号: IR2110STR(UMW)
商品编号: C20623179
商品封装: SOP-16-300mil
包装方式: 编带
商品毛重: 0.69075克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	全桥；半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	25ns
	下降时间(tf)	17ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	130ns
	传播延迟 tpHL	130ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	15uA
	功能特性	使能关断；交错导通保护

商品概述

UMW IR2110STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。其采用专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，最低可至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最小化驱动级串扰。浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET，其工作电压高达600V。

商品特性

专为自举操作设计的浮动通道
完全工作电压高达+600V
兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
耐受负瞬态电压，dV/dt抗扰
允许的负VS能力：-9V
栅极驱动电源范围：10V至20V
独立的逻辑电源范围：3.3V至20V
逻辑地和功率地之间±5V偏移
双通道欠压锁定
逐周期边沿触发关断逻辑
双通道匹配的传播延迟
宽工作温度范围：-40°C ~125°C
典型输出源电流/灌电流能力：4A/4A

应用领域

不间断电源通用逆变器
AC/DC电源中的半桥和全桥转换器
服务器、电信、IT和工业基础设施的高密度开关电源
太阳能逆变器和电机驱动器

数据手册PDF

放大查看下载PDF