SIHP155N60EF-GE3
SIHP155N60EF-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHP155N60EF-GE3
- 商品编号
- C20346131
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 137mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 179W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.465nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 56pF |
商品特性
- 第四代沟槽式场效应晶体管（TrenchFET Gen IV）功率MOSFET
- 极低的导通电阻（RDS）与栅极电荷（Qg）品质因数（FOM）
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 增强功率耗散能力，降低结壳热阻（RthJC）
应用领域
- 同步整流-DC/DC转换器-或运算与热插拔开关-电池管理
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