SIRS4302DP-T1-GE3
SIRS4302DP-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRS4302DP-T1-GE3
- 商品编号
- C20346142
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 478A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.83mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 第四代沟槽式场效应晶体管(TrenchFET Gen IV)功率MOSFET
- 极低的导通电阻(RDS)与栅极电荷(Qg)品质因数(FOM)
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 增强功率耗散能力,降低结壳热阻(RthJC)
应用领域
-同步整流-DC/DC转换器-或运算与热插拔开关-电池管理
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