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SISS5623DN-T1-GE3
P沟道，60 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：新一代P沟道功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 超低RDS×Qg品质因数产品。 材料分类：有关合规定义，请参阅相关文档。应用：电池管理。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS5623DN-T1-GE3
- 商品编号
- C20346159
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 56.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.575nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET
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