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SQ4840CEY-T1_GE3
SQ4840CEY-T1_GE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ4840CEY-T1_GE3
- 商品编号
- C20346165
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 630pF |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管（TrenchFET）第四代功率MOSFET
- 极低的RDS × Qg品质因数（FOM）
- 领先的导通电阻RDS(on)，可最大程度降低传导产生的功率损耗
- 100%进行栅极电阻Rg和非钳位感性开关UIS测试
- 增强功率耗散能力，降低结壳热阻RthJC
应用领域
- 同步整流
- DC/DC转换器
- 或门（OR-ing）和热插拔开关
- 电源
- 电机驱动控制
- 电池管理
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