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SQS460CENW-T1_GE3
汽车用N沟道MOSFET，采用TrenchFET技术，通过AEC-Q101认证
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQS460CENW-T1_GE3
- 商品编号
- C20346182
- 商品封装
- PowerPAK1212-8W
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽场效应功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 进行100%栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET
- SQSA84CENW-T1_GE3
- SUM70042M-GE3
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- 2941101110
- 8501KPDR12P14V51
- 8501KPDR13P14V53
- 8501KPR12P14V24
- 8501KPR13P14V20
- 8501KUDR12P14V53
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- 8501NH82