SQJQ936E-T1_GE3
SQJQ936E-T1_GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJQ936E-T1_GE3
- 商品编号
- C20346174
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 113nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.6nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.03nF |
商品特性
- 第四代沟道型场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rq和UIS测试
- 完全无铅(Pb)器件
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- 直流-直流（DC/DC）转换器
- 电源
- 电机驱动控制