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SQS180ENW-T1_GE3
N沟道 80V 72A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 AEC-Q101认证。 100% Rg和UIS测试。 可焊侧翼端子。 0.75mm外形低热阻
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQS180ENW-T1_GE3
- 商品编号
- C20346180
- 商品封装
- PowerPAK1212-8SLW
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.67mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 119W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.092nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 521pF |
商品特性
- 沟道式场效应晶体管第四代功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 可焊侧翼端子
- 0.75mm厚度,低热阻
- 符合RoHS标准
- 无卤