- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQS180ELNW-T1_GE3
汽车用N沟道MOSFET，采用TrenchFET Gen IV技术，PowerPAK1212 - 8SLW封装，通过AEC - Q101认证，具备可焊侧翼端子和低热阻特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQS180ELNW-T1_GE3
- 商品编号
- C20346179
- 商品封装
- PowerPAK1212-8SLW
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 82A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 119W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.689nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rq和UIS测试
- 可焊侧翼端子
- 0.75mm厚度,低热阻
- SQS180ENW-T1_GE3
- SQS182ELNW-T1_GE3
- SQS460CENW-T1_GE3
- SQSA84CENW-T1_GE3
- SUM70042M-GE3
- VS-ETL3006S2LHM3
- VJ0402D180JXBAJ
- VJ0603D0R6VXPAJ
- VJ1206Y104KXXMR
- W25R512NWEIQ
- W97BH2MBVA2J TR
- W9812G6KB-6 TR
- SCM318-A00-SPM052-10
- SIM251-A99-R43ALMBA-01
- SIM551-A01-R43ALLDA-05
- 2941101110
- 8501KPDR12P14V51
- 8501KPDR13P14V53
- 8501KPR12P14V24
- 8501KPR13P14V20
- 8501KUDR12P14V53