温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 504A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.87mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 266W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 294nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.398nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 395pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.263nF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 电源
- 电机驱动控制