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SQ4850CEY-T1_GE3
SQ4850CEY-T1_GE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ4850CEY-T1_GE3
- 商品编号
- C20346166
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 235pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 通过AEC-Q101认证
- 符合RoHS标准,无卤素
- N沟道MOSFET
应用领域
- 同步整流
- 负载开关
- 电机驱动控制
- 电池管理