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SQ4401CEY-T1_GE3
汽车级P沟道，40 V（D-S），175 °C MOSFET
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET，符合AEC-Q101标准。 100%进行Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ4401CEY-T1_GE3
- 商品编号
- C20346164
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.14W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 580pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 笔记本适配器开关
- 笔记本电池管理
- 负载开关
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