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SIRS5800DP-T1-GE3
N沟道80 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。 极低的RDS×Qg品质因数（FOM）。 领先的RDS(on)可将传导产生的功率损耗降至最低。 100%进行Rg和UIS测试。 增强功率耗散并降低RthJC。应用：同步整流。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRS5800DP-T1-GE3
- 商品编号
- C20346147
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.61克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 265A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 122nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.19nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.635nF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 完全无铅（Pb）器件
- 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比，可降低开关相关的功率损耗
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 负载开关
- 电机驱动控制
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