SIS9634LDN-T1-GE3
SIS9634LDN-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS9634LDN-T1-GE3
- 商品编号
- C20346151
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 17.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 420pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 92pF |
商品特性
- 第四代沟道型场效应晶体管(TrenchFET Gen IV)功率MOSFET
- 完全无铅(Pb)器件
- 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比可降低开关相关的功率损耗
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 负载开关
- 电机驱动控制
- 电池管理
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