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SISH107DN-T1-GE3
P沟道，30 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。应用：笔记本适配器开关。 笔记本电池管理
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISH107DN-T1-GE3
- 商品编号
- C20346154
- 商品封装
- PowerPAK1212-8SH
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.154克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 182pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 208pF |
商品特性
- 第四代沟道型场效应晶体管（TrenchFET Gen IV）功率MOSFET
- 完全无铅（Pb）器件
- 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比可降低开关相关的功率损耗
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 负载开关
- 电机驱动控制
- 电池管理
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