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SISS5110DN-T1-GE3
N沟道100V（D - S）MOSFET，采用TrenchFET GenV技术，低Rps x Qg和Rps x Qoss优值
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS5110DN-T1-GE3
- 商品编号
- C20346157
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 56.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- TrenchFET第五代功率MOSFET
- 极低的导通电阻×栅极电荷品质因数(FOM)
- 针对最低的导通电阻×输出电容品质因数进行优化
- 100%进行Rq和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 电源
- 电机驱动控制
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