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SISS5112DN-T1-GE3
N沟道 100V 40.7A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。 极低的RDS×Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS×Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS标准，无卤。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS5112DN-T1-GE3
- 商品编号
- C20346158
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.132克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.5mΩ@7.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
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