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SIS112LDN-T1-GE3实物图
  • SIS112LDN-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIS112LDN-T1-GE3

SIS112LDN-T1-GE3

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIS112LDN-T1-GE3
商品编号
C20346148
商品封装
PowerPAK1212-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.107克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)8.8A
导通电阻(RDS(on))135mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)19.8W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11.8nC@10V
输入电容(Ciss)355pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)30pF

商品特性

  • 采用E系列技术的快速体二极管MOSFET
  • 降低trr、Qrr和IRRM
  • 低品质因数(FOM)Ron × Qg
  • 因Qrr降低,开关损耗低
  • 超低栅极电荷(Qg)
  • 雪崩能量额定(UIS)
  • 符合RoHS标准
  • 无卤素

应用领域

  • 电信
  • 服务器和电信电源
  • 照明
  • 高强度气体放电灯(HID)
  • 发光二极管(LED)
  • 消费电子和计算机
  • ATX电源
  • 工业领域
  • 焊接
  • 电池充电器
  • 可再生能源
  • 太阳能(光伏逆变器)
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 采用以下拓扑的应用
  • LLC
  • 移相全桥(ZVS)
  • 三电平逆变器
  • 交直流桥

数据手册PDF