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SIS9446DN-T1-GE3
双N沟道MOSFET，采用TrenchFET Gen IV技术，无铅，优化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比以降低开关损耗
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS9446DN-T1-GE3
- 商品编号
- C20346150
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 13W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 完全无铅(Pb)器件
- 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比可降低开关相关的功率损耗
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤素
应用领域
- 同步整流
- 负载开关
- 电机驱动控制
- 电池管理
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