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SIRS5100DP-T1-GE3
N沟道 100V 225A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen V power MOSFET。 非常低的RDS × Qg品质因数 (FOM)，符合RoHS标准。 领先的RDS(on) 可最大限度地减少传导损耗，无卤。 100% Rg和UIS测试。 增强功率耗散并降低RthJC。应用：同步整流。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRS5100DP-T1-GE3
- 商品编号
- C20346146
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 225A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@7.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第五代功率MOSFET
- 极低的RDS × Qg品质因数(FOM)
- 领先的RDS(on),可最大程度降低传导带来的功率损耗
- 100%进行Rg和UIS测试
- 增强功率耗散能力,降低热阻RthJC
应用领域
- 同步整流
- DC/DC转换器
- 或门和热插拔开关
- 电源
- 电机驱动控制
- 电池管理
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