我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
预售商品
SIRS4400DP-T1-RE3实物图
  • SIRS4400DP-T1-RE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIRS4400DP-T1-RE3

SIRS4400DP-T1-RE3

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIRS4400DP-T1-RE3
商品编号
C20346143
商品封装
PowerPAKSO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)440A
导通电阻(RDS(on))0.96mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)240W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.3V@250uA
栅极电荷量(Qg)135nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • TrenchFET第四代功率MOSFET
  • 极低的漏源电阻(RDS)与栅极电荷(Q_g)优值(FOM)乘积
  • 领先的导通状态漏源电阻(RDS(on))可将传导产生的功率损耗降至最低
  • 经过100%栅极电阻(R_g)和非钳位感性开关(UIS)测试
  • 增强功率耗散能力,降低结壳热阻(R_thJC)

应用领域

-同步整流-DC/DC转换器-或门和热插拔开关-电源-电机驱动控制-电池管理

数据手册PDF