温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIRS4401DP-T1-GE3
P沟道，40 V（D-S）MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。 100%进行Rg和UIS测试。 增强功率耗散能力，降低RthJC。应用：适配器和充电器开关。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRS4401DP-T1-GE3
- 商品编号
- C20346144
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.61克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 198A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 132W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 588nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 21.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.32nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.5nF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单
相似推荐
其他推荐
- SIRS4600DP-T1-RE3
- SIRS5100DP-T1-GE3
- SIRS5800DP-T1-GE3
- SIS112LDN-T1-GE3
- SIS4634LDN-T1-GE3
- SIS9446DN-T1-GE3
- SIS9634LDN-T1-GE3
- SISD5300DN-T1-GE3
- SISH103DN-T1-GE3
- SISH107DN-T1-GE3
- SISS4402DN-T1-GE3
- SISS5108DN-T1-GE3
- SISS5110DN-T1-GE3
- SISS5112DN-T1-GE3
- SISS5623DN-T1-GE3
- SISS5808DN-T1-GE3
- SQ2348CES-T1_GE3
- SQ3426CEV-T1_GE3
- SQ3456CEV-T1_GE3
- SQ4401CEY-T1_GE3
- SQ4840CEY-T1_GE3