SIJ4106DP-T1-GE3
SIJ4106DP-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJ4106DP-T1-GE3
- 商品编号
- C20346132
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.1mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 69.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 第四代E系列技术
- 低品质因数（FOM）导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低有效电容（Co(er)）
- 降低开关和传导损耗
- 雪崩能量额定值（UIS）
- 符合RoHS标准
- 无卤
- 环保（5 - 2008）
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-太阳能(光伏逆变器)
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