SIJ4106DP-T1-GE3
SIJ4106DP-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJ4106DP-T1-GE3
- 商品编号
- C20346132
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.1mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 69.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管第四代功率MOSFET
- 极低的Qg和Qoss可降低功率损耗并提高效率
- 灵活的引脚可增强对机械应力的耐受性
- 100%进行Rg和UIS测试
- Qgd/Qgs比率 < 1,优化开关特性
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度DC/DC
- DC/AC逆变器
- 升压转换器
- LED背光
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