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SIR5607DP-T1-RE3
1个P沟道 耐压:60V 电流:90.9A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen V p沟道功率MOSFET。 极低的RDS(on)，可最大程度降低电压降并减少传导损耗。 100%进行Rg和UIS测试。应用：适配器和充电器开关。 电池和电路保护
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR5607DP-T1-RE3
- 商品编号
- C20346137
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.02nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.05nF |
商品特性
- 第四代E系列技术
- 低品质因数（FOM）Ron x Qg
- 低有效电容（Co(er)）
- 降低开关和传导损耗
- 雪崩能量额定值（UIS）
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-太阳能(光伏逆变器)
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