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SIJ4108DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:56.7A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的Qg和Qoss，可降低功率损耗并提高效率。 柔性引脚，可承受机械应力。 100%进行Pg和UIS测试。 Qgd/Qgs比率<1，优化开关特性。应用：同步整流。 高功率密度DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJ4108DP-T1-GE3
- 商品编号
- C20346133
- 商品封装
- PowerPAKSO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.6mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 69.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@7.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.44nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.2pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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