SIR5108DP-T1-RE3
SIR5108DP-T1-RE3
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR5108DP-T1-RE3
- 商品编号
- C20346134
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.4mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU、SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
- TrenchFET第五代功率MOSFET
- 极低的RDS × Qg品质因数(FOM)
- 针对最低的RDS × Qoss FOM进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 电源
- 电机驱动控制
相似推荐
其他推荐
- SIR5110DP-T1-RE3
- SIR5112DP-T1-RE3
- SIR5607DP-T1-RE3
- SIR5623DP-T1-RE3
- SIR5808DP-T1-RE3
- SIRA54ADP-T1-RE3
- SIRS4301DP-T1-GE3
- SIRS4302DP-T1-GE3
- SIRS4400DP-T1-RE3
- SIRS4401DP-T1-GE3
- SIRS4600DP-T1-RE3
- SIRS5100DP-T1-GE3
- SIRS5800DP-T1-GE3
- SIS112LDN-T1-GE3
- SIS4634LDN-T1-GE3
- SIS9446DN-T1-GE3
- SIS9634LDN-T1-GE3
- SISD5300DN-T1-GE3
- SISH103DN-T1-GE3
- SISH107DN-T1-GE3
- SISS4402DN-T1-GE3