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FF6MR12KM1HPHPSA1引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FF6MR12KM1HPHPSA1

FF6MR12KM1HPHPSA1

商品型号
FF6MR12KM1HPHPSA1
商品编号
C20190940
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)175A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@18V
阈值电压(Vgs(th))4.3V
栅极电荷量(Qg)446nC
属性参数值
输入电容(Ciss)13.2nF
反向传输电容(Crss)42pF
工作温度-40℃~+175℃
配置半桥
类型N沟道
输出电容(Coss)630pF

商品特性

  • 电气特性
  • 漏源极电压(VDSS) = 1200 V
  • 标称漏极电流(IDN) = 180 A / 重复峰值漏极电流(IDRM) = 360 A
  • 高电流密度
  • 低开关损耗
  • 机械特性
  • 4 kV 交流耐压 1 分钟
  • 预涂覆导热界面材料

应用领域

  • 不间断电源(UPS)系统
  • 太阳能应用
  • DC/DC 转换器
  • 高频开关应用
  • 储能系统
  • 电动汽车直流充电器

数据手册PDF