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FF6MR12W2M1HB11BPSA1引脚图
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  • 焊盘图

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FF6MR12W2M1HB11BPSA1

FF6MR12W2M1HB11BPSA1

商品型号
FF6MR12W2M1HB11BPSA1
商品编号
C20190941
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)145A
导通电阻(RDS(on))5.4mΩ@18V
阈值电压(Vgs(th))4.3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)446nC
输入电容(Ciss)13.2nF
反向传输电容(Crss)42pF
工作温度-40℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)630pF

商品特性

  • 电气特性
  • 漏源击穿电压(VDSS) = 1200 V
  • 标称漏极电流(IDN) = 150 A / 重复峰值漏极电流(IDRM) = 300 A
  • 低开关损耗
  • 低电感设计
  • 高电流密度
  • 机械特性
  • 集成安装夹,安装牢固
  • PressFIT 接触技术
  • 集成 NTC 温度传感器

应用领域

  • 不间断电源(UPS)系统
  • 高频开关应用
  • DC/DC 转换器
  • 太阳能应用

数据手册PDF