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DMTH4007LPS-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH4007LPS-13

1个N沟道 耐压:40V 电流:100A

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描述
这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻 RDo(ON),同时保持卓越的开关性能。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMTH4007LPS-13
商品编号
C211373
商品封装
PowerDI5060-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))9.8mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)150W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)29.1nC@10V
输入电容(Ciss)1.895nF
反向传输电容(Crss)20.9pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品特性

  • 额定温度达 +175℃ —— 适用于高环境温度环境
  • 100%非钳位电感开关 —— 确保终端应用更可靠、更耐用
  • 散热高效封装 —— 应用运行更凉爽
  • 高转换效率
  • 低RDS(ON)—— 最大限度降低导通状态损耗
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 封装高度小于1.1mm —— 适用于轻薄应用
  • 无铅涂层;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件
  • 符合汽车标准的产品规格书单独提供(DMTH4007LPSQ)

应用领域

-笔记本电脑电池电源管理-DC-DC转换器-负载开关

数据手册PDF