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DMTH4007LPS-13
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻 RDo(ON)，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH4007LPS-13
- 商品编号
- C211373
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.895nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20.9pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 创新设计
- 卓越的雪崩耐受技术
- 坚固的栅极氧化层技术
- 极低的本征电容
- 出色的开关特性
- 无与伦比的栅极电荷：25 nC（典型值）
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏源导通电阻：0.75 Ω（典型值）@VGS = 10V
- 100%雪崩测试