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GT130N10D3
1个N沟道 耐压:100V 电流:52A
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT130N10D3
- 商品编号
- C19673821
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0227克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.254nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 461pF |
商品概述
GT130N10D3采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷，可广泛应用于各类场景。
商品特性
- VDS:100V
- ID(VGS=10V 时):52A
- RDS(ON)(VGS = 10V 时):12.5mΩ
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC 转换器