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GT015N06TL
1个N沟道 耐压:60V 电流:350A
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- 描述
- 使用先进沟槽技术提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT015N06TL
- 商品编号
- C19673828
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8812克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 152nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
GT015N06TL采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：60V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS）=10V时）：350A
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)）（VGS = 10V时）：<1mΩ
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)）（VGS = 4.5V时）：<1.3mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器