我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
GT250P10T实物图
  • GT250P10T商品缩略图
  • GT250P10T商品缩略图
  • GT250P10T商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

GT250P10T

1个P沟道 耐压:100V 电流:56A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于各种应用。
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
GT250P10T
商品编号
C19673855
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.8956克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)56A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V
耗散功率(Pd)173.6W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)73nC@10V
输入电容(Ciss)4.059nF
反向传输电容(Crss)21pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)333pF

商品概述

GT250P10T采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压（Vds）：-100V
  • 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS） = -10V时）：-56A
  • 漏源导通电阻（RDS(ON)）（栅源电压（VGS） = -10V时）：< 30mΩ
  • 经过100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 功率开关
  • DC/DC转换器