温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GC080N65QF
1个N沟道 耐压:650V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GC080N65QF
- 商品编号
- C19673832
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.87克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 298W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - |
商品概述
GC180N65MF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：650V
- 漏极电流（ID，VGS = 10V时）：20A
- 导通电阻（RDS(ON)，VGS = 10V时）：190mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 超快体二极管
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器