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NTH4L070N120M3S
1200V碳化硅MOSFET
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- 描述
- 特性：典型导通电阻 RDS(on) = 65 mΩ（VGS = 18 V）。 超低栅极电荷（QG(tot) = 57 nC）。 低电容高速开关（Coss = 57 pF）。 100%雪崩测试。 该器件无卤，符合 RoHS 指令豁免条款 7a，二级互连无铅。应用：太阳能逆变器。 电动汽车充电站
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTH4L070N120M3S
- 商品编号
- C19673850
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.87克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 57pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@18V |
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