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G090P02S
1个P沟道 耐压:20V 电流:11A
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- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-20V@@连续漏极电流(Id)：-11A@@阈值电压(Vgs(th))：-1.1V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：7.5mΩ@4.5V 10mΩ@2.5V @@封装：SOP-8
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G090P02S
- 商品编号
- C19673835
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 111nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
G090P02S采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS -20V
- ID(VGS = -10 V时) -11A
- RDS(ON)(VGS = -4.5V时) < 9 mΩ
- RDS(ON)(VGS = -2.5V时) < 12.5 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器