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G300C03L6
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:22.4A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G300C03L6
- 商品编号
- C19673839
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0231克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A；4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V；43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC；8.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 547pF；693pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF；68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 69pF；79pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
G300C03L6采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用。
商品特性
- NMOS
- VDS 30V
- ID(VGS = 10 V时)5.6A
- RDS(ON)(VGS = 10 V时)< 27 mΩ
- RDS(ON)(VGS = 4.5 V时)< 30 mΩ
- RDS(ON)(VGS = 2.5 V时)< 65 mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
- PMOS
- VDS -30V
- ID(VGS = -10 V时)-4.2A
- RDS(ON)(VGS = -10 V时)< 55 mΩ
- RDS(ON)(VGS = -4.5V时)< 65 mΩ
- RDS(ON)(VGS = -2.5V时)< 90 mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源开关-DC/DC转换器