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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

G300C03L6

1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:22.4A

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描述
采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,可用于各种应用。
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G300C03L6
商品编号
C19673839
商品封装
SOT-23-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.0231克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)22.4A
导通电阻(RDS(on))55mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))1.3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)16nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)-

商品特性

  • NMOS
  • VDS 30V
  • ID(VGS = 10 V时)5.6A
  • RDS(ON)(VGS = 10 V时)< 27 mΩ
  • RDS(ON)(VGS = 4.5 V时)< 30 mΩ
  • RDS(ON)(VGS = 2.5 V时)< 65 mΩ
  • 100%经过雪崩测试
  • 符合RoHS标准
  • PMOS
  • VDS -30V
  • ID(VGS = -10 V时)-4.2A
  • RDS(ON)(VGS = -10 V时)< 55 mΩ
  • RDS(ON)(VGS = -4.5V时)< 65 mΩ
  • RDS(ON)(VGS = -2.5V时)< 90 mΩ
  • 100%经过雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

-电源开关-DC/DC转换器