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G020N03D5实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

G020N03D5

耐压:30V 电流:140A

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描述
采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻和低栅极电荷,可用于各种应用。
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G020N03D5
商品编号
C19673834
商品封装
DFN5X6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.1413克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)140A
导通电阻(RDS(on))2mΩ@10V
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)-

商品概述

G020N03D5采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通状态漏源电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压(VDS):30V
  • 漏极电流(ID)(栅源电压(VGS)= 10V时):140A
  • 导通状态漏源电阻(RDS(ON))(VGS = 10V时):< 2mΩ
  • 导通状态漏源电阻(RDS(ON))(VGS = 4.5V时):< 3mΩ
  • 经过100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电源开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF