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GC280N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:15A
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- 描述
- 采用先进的超结技术和设计，提供出色的导通电阻、低栅极电荷和运行性能。该器件适用于工业AC-DC开关电源对功率因数校正、AC/DC电源转换和工业电源的应用需求。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GC280N65F
- 商品编号
- C19673830
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 46pF |
商品概述
GC080N65QF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压Vds：650V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = 10V时）：50A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 10V时）：90mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 超快体二极管
应用领域
- 功率开关-DC/DC转换器