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GT011N03TE
1个N沟道 耐压:30V 电流:209A
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- 描述
- 特性：VDS：30V。 ID (at VGS = 10V)：209A。 RDS(ON) (at VGS = 10V) < 2.2mΩ。 RDS(ON) (at VGS = 4.5V) < 3.0mΩ。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准。应用：电源开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT011N03TE
- 商品编号
- C19673822
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 209A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.245nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.07nF |
商品概述
G048N04T采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压VDS:30V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = 10V时):209A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):< 2.2mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5V时):< 3.0mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 静电放电(人体模型):7KV
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器