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G020N03T

耐压:30V 电流:140A

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描述
使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,可用于多种应用。
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G020N03T
商品编号
C19673823
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.777克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)140A
导通电阻(RDS(on))2.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)110nC@10V
输入电容(Ciss)6.005nF
反向传输电容(Crss)964pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)995pF

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(50个/管,最小起订量 1 个)
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