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G500P03IE
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.6A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G500P03IE
- 商品编号
- C19673826
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
G500P03IE采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：-30V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS） = -10V时）：-4.6A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = -10V时）：< 55mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = -4.5V时）：< 65mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = -2.5V时）：< 90mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 静电放电（ESD）（人体模型（HBM））：7KV
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器