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G048N04T
N沟道 耐压:40V 电流:150A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G048N04T
- 商品编号
- C19673824
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 117nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 548pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 593pF |
商品概述
G180C06Y采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可广泛应用于各类场景。
商品特性
- NMOS
- 漏源电压VDS：60V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = 10V时）：50A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 10V时）：< 17mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 4.5V时）：< 20mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
- PMOS
- 漏源电压VDS：-60V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = -10V时）：-60A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -10V时）：< 23mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关-DC/DC转换器