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GT400P10K
1个P沟道 耐压:100V 电流:35A
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- 描述
- 特性：VDS：-100V。 ID (at VGS = -10V)：-35A。 RDS(ON) (at VGS = -10V)：< 35mΩ。 RDS(ON) (at VGS = -4.5V)：< 40mΩ。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准。应用：电源开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT400P10K
- 商品编号
- C19673816
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3739克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 106W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.128nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 258pF |
商品概述
G2K2P10D3E采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种广泛的应用场景。
商品特性
- 漏源电压Vds：-100V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = -10V时）：-10A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -10V时）：< 210mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -4.5V时）：< 230mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 静电放电（人体模型）ESD >7.0KV
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器